중국 과학자 제3의 저장기술 개발

4월11일, 푸단(复旦)대학 미세전자학원 장웨이(張衛) 교수와 저우펑(周鵬)팀이 실험실에서 찍은 기념사진. 푸단대학 미세전자학원 장웨이 교수와 저우펑팀이 획기적인 2차원 반도체 준 비휘발성 메모리(NVM) 원형부품을 만들어 제3의 저장기술을 개발했다. 이 기술은 기록속도가 현재USB의 만 배에 달하고 데이터 저장시간도 자체적으로 결정할 수 있다. 관련 성과는 나노 기술 분야의 세계 최고 권위 학술지인 ‘네이처 나노테크놀로지(Nature Nanotechnology)’ 온라인 판에 게재됐다. [촬영/신화사 기자 딩팅(丁汀)]

원문 출처: 신화사